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盖世汽车讯 据外媒报道，宾夕法尼亚州立大学（The Pennsylvania State University）和麻省理工学院（MIT）合作制造出一种新型半导体硒化锡（SnSe）。该半导体厚度仅为几个原子，并以不寻常的方式与光相互作用。与当前电子产品相比，这种新的半导体可降低计算和通信新技术所需的功耗。

图片来源：MIT

硒化锡是一种二元化合物，由锡和硒以1:1的比例组成。该新型半导体将有助于开发称为“光子学”的新型电子器件。传统电子学使用电子来存储、操控和传输信息，而该电子器件使用的是光粒子或光子。该材料与光具有特殊的相互作用，使其在电子产品中具有巨大的应用潜力。